深圳市腾桩电子有限公司
2年

深圳市腾桩电子有限公司

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  • 经营模式:贸易/代理/分销
  • 所在地区:广东 深圳

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企业档案

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供应IRHNA58Z60原装IR品牌
供应IRHNA58Z60原装IR品牌
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IRHNA58Z60原装IR品牌

型号/规格:

IRHNA58Z60

品牌/商标:

IR

封装:

SMD-2-3

批号:

21+

数量:

6000

产品信息

型号:IRHNA58Z60

深圳市腾桩电子有限公司,是电子元器件的国际分销商,代理分销TOSHIBA,IR,ST,ON,FAIRCHILD,TI,NXP,MAXIM-DALLAS,ADI,ALTERA,XILINX,MICROCHIP,品牌各种模拟器件、电源管理芯片、接口及通信器件以及各类二三极管(MOS管、肖特基、稳压管等),涉及通讯设备、汽车仪器、航空仪表、消费电子等领域! 并能支持工厂BOM配单提供一站式采购服务

公司始终坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则,将产品质量和客户利益放在位,腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100%原装,对货物所涉及的各个环节严格把关。保证货物质量是我们的首要任务,降低客户成本是我们的永远追求。

我司拥有多年的厂家配套经验,承接各类客户生产需求的采购货单配套,诚实守信,欢迎来电咨询!我们都以100%的热情为您真诚服务。

型号:IRHNA58Z60


公司坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则,将产品质量和客户利益放在首位,腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100%原装,对货物所涉及的各个环节严格把关。货物质量是我们的首要任务,降低客户成本是我们的追求。

型号:IRHNA58Z60


型号:IRHNA58Z60

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMD-2-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 75 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 50 ns (Max)
高度: 3.58 mm
长度: 17.65 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 125 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 80 ns (Max)
典型接通延迟时间: 35 ns (Max)
宽度: 13.46 mm
单位重量: 3.300 g

型号:IRHNA58Z60

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