型号：IRF9Z34NSTR

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型号：IRF9Z34NSTR

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型号：IRF9Z34NSTR

型号：IRF9Z34NSTR

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 19 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 35 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 68 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
1600
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IRF9Z34NSTRLPBF SP001554544
单位重量: 4 g

型号：IRF9Z34NSTR